【芯观点】从光刻技术发展趋势看半导体关键技术

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从1947年第一个晶体三极管面世算起,半导体技术性一直在飞速发展,如今它仍保证着强悍的未来发展趋势,再次遵循颠覆性创新指出的角度前行,大规格、细丝宽、高精密、效率高、成本低的IC生产制造,已经对半导体全产业链产生史无前例的挑戰。

集成电路芯片在生产流程中经历了原材料制取、掩膜、光刻、清理、离子注入、夹杂、有机化学研磨抛光等众多工艺流程,在其中尤以光刻加工工艺最重要,决策着生产制造工艺技术的优秀水平。伴随着集成电路芯片由μm级向钠米级发展趋势,光刻选用的光波波长也从近紫外线(NUV)区段的436nm、365nm波长进到到深紫外线(DUV)区段的248nm、193nm波长。现阶段绝大多数芯片制造加工工艺使用了248nm和193nm光刻技术。现阶段针对13.5nm波长的EUV极端化远紫外线光刻技术科学研究也在加速前行。

可以说,伴随着集成ic处理速度的提升,对光刻技术明确提出了越发高的规定,而光刻技术的演变,在某种意义上也表明了半导体技术性的未来发展线路。上世纪中期,IEEE电子器件和硬件工程师研究会开设了ITRS机构,该机构每一年都是公布一份半导体行业中技术路线图——ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)。但在2017年,IEEE终止升级ITRS,并将其再次重新命名为IRDS,她们觉得那样还可以更全方位地反映各种各样系统软件级新技术应用。

IRDS路线地图光刻联合会现任主席、厦大嘉庚创新实验室产业链经营服务平台高新科技主管,厦大半导体科学与技术学校教授Mark Neisser近期对光刻技术与半导体线路中间的相互关系实现了详尽讲解。

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集成电路芯片在生产流程中经历了原材料制取、掩膜、光刻、清理、离子注入、夹杂、有机化学研磨抛光等众多工艺流程,在其中尤以光刻加工工艺最重要,决策着生产制造工艺技术的优秀水平。伴随着集成电路芯片由μm级向钠米级发展趋势,光刻选用的光波波长也从近紫外线(NUV)区段的436nm、365nm波长进到到深紫外线(DUV)区段的248nm、193nm波长。现阶段绝大多数芯片制造加工工艺使用了248nm和193nm光刻技术。现阶段针对13.5nm波长的EUV极端化远紫外线光刻技术科学研究也在加速前行。

可以说,伴随着集成ic处理速度的提升,对光刻技术明确提出了越发高的规定,而光刻技术的演变,在某种意义上也表明了半导体技术性的未来发展线路。上世纪中期,IEEE电子器件和硬件工程师研究会开设了ITRS机构,该机构每一年都是公布一份半导体行业中技术路线图——ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)。但在2017年,IEEE终止升级ITRS,并将其再次重新命名为IRDS,她们觉得那样还可以更全方位地反映各种各样系统软件级新技术应用。

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